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传三星、SK海力士18nm出问题,市场价格变动

发布时间:2019-11-08 18:39编辑:通讯产品浏览(122)

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    受惠于北美数据中心建案推动,从2017年下半以来服务器存储器供货持续吃紧,尽管2018年第1季涨幅已见趋缓,但市场价格仍维持高档,预计2018年上半整体市场供给仍吃紧的看法,全年将可望稳定成长。 近期受到全球智能手机市场进入传统淡季,且第1季市场买气较预期更为疲弱,导致移动式存储器平均合约价涨幅已较过去几季明显收敛,市场预估,第1季移动式存储器产值成长幅度平缓,价格也将由涨幅约5%缩减为3%左右。

    根据市场消息传出,三星及SK海力士先后于5月起传出18nm制程出现质量疑虑,并遭到数据中心客户退货,且在改善前将暂缓出货,受到影响的业者包括亚马逊及阿里巴巴、腾讯、华为等大厂,台湾地区业者也陆续于近1——2周内获得讯息。

    业界认为,近期市场需求拉动主要仍受到北美数据中心拉货动能,尤其是北美4大网路服务提供业者推动云端服务器的趋势明朗,由于服务器需求在第1季拉货稳健,故DDR4产品于2月平均现货价格约为5美元,相较 1月平均现货价格仍有走扬约1.1%,至于3月价格仍然走强,单季平均涨幅约在3%~5%左右,相较之下,DDR3于2月报价已见止稳,预计3月也将呈现持平走势。

    受惠于市场需求强力推升,服务器存储器供应持续吃紧,近来市场传出,存储器龙头厂三星与海力士18nm制程出现良率问题,应用于高阶服务器产品遭到退货,包括美国及大陆厂商已要求暂时停止出货。尽管三星对外刻意采取低调,但多家台湾地区业者近日仍纷纷接获消息,业界预计最快1——2个月左右应可改善良率,但由于第3季DRAM价格预期将缓步上升,如今再受到高阶DRAM产出供不应求,将为下半年市场价格涨幅投下变量。

    尽管近期三星电子预计将在南韩平泽市再兴建一座新半导体工厂,以用于扩大DRAM、NAND Flash快闪存储器的产能,不过总投资规模及产能分配仍尚未拍板定案,预料三星的新工厂将会于2019 年年底前完工,且原来的平泽厂也将在下半年开出实质产能,故2018年重点将会加速提高18纳米制程投片,至于海力士与美光阵营的制程进度较落后,预料整体业界的新产能开出将落在下半年。

    虽然目前2家韩厂并未证实新制程的技术问题,但由于全球DRAM产业已呈现寡占结构,三星、SK海力士与美光等前3大厂掌握95%市占率,在韩系大厂的良率未能稳定改善前,预料数据中心的高阶服务器产品供应紧缺恐将进一步扩大。

    南亚科也看好服务器存储器的成长趋势,除了数据中心外、电信商加速换机潮等商机,以及随着5G、人工智能(AI)的兴起及各种云端服务增加,未来服务器存储器成长力道强劲,随着20纳米8Gb DDR4产品已于2017第4季量产,规划将加速冲刺服务器存储器商机。

    相关供应链业者表示,三星18nm制程并非第一次传出质量疑虑,先前已修改过2次设计,原本业界以为第3次改良将可安全过关,不过高阶服务器产品应用于数据中心的要求较为严格,环境测试也较为严峻,在DRAM制程持续微缩下,导致符合规格的产品良率较难稳定控制。

    供应链表示,数据中心布建需求以及手机配备持续提高将是2大支撑的重要出海口,尽管供货吃紧的状态较去年大幅改善,然而受到上半年仍缺少大量新增产能下,预计整体DRAM价格将呈现缓涨,2018年也将处于卖方市场,2018年DRAM产业产值将成长超过3成,市场规模将达960亿美元。

    业者认为,这并不代表全部18nm制程都有问题,只是在高标准的服务器用DRAM产品遭到瓶颈,但未达高标的DRAM产品仍然可以用于其它消费性DRAM需求,如PC或NB等应用,而依照过去经验,韩系存储器厂最快应可在1——2个月左右改善良率问题,加上目前三星的20nm制程也在稳定生产出货,供应至服务器市场足可应付,也预计应该不至于造成全面性的市场严重缺货问题。

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